今年第二季度，國際半導體產業協會(SEMI)正式發布了碳化硅半導體外延晶片全球首個SEMI國際標準——《4H-SiC同質外延片標準》(Specification for 4H-SiC Homoepitaxial Wafer)。此標準由瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司主導編寫，由中國科學院半導體研究所、株洲中車時代電氣股份有限公司、Wolfspeed等十二家單位參與編寫，歷時近三年時間。

　　國際半導體產業協會(SEMI)是全球性的產業協會，致力于國際標準的制定，積極促進微電子、平面顯示器及太陽能光電等產業供應鏈的整體發展，代表著全球各地產業的呼聲和需求，是行業發展趨勢的風向標。《4H-SiC同質外延片標準》這一國際標準的發布實施，將在規范國際碳化硅半導體外延行業有序發展，降低國際貿易協作成本，加速新技術在全球的推廣等方面具有深遠的意義。

　　對于瀚天天成而言，成功主導編寫碳化硅半導體外延晶片全球首個SEMI國際標準意義重大，不僅能夠進一步樹立瀚天天成在碳化硅半導體行業的領導品牌地位，進一步夯實行業話語權與核心競爭力，而且有助于瀚天天成與行業內的上下游企業單位緊密合作，在共同推動國際碳化硅半導體行業的穩健進步和創新發展方面做出應有的貢獻。

　　除了此次發布實施的國際標準外，瀚天天成自2011年成立以來還成功主導編寫了2項國內團體標準，參與編寫了7項行業標準和團體標準(其中1項行業標準和3項團體標準已經發布)。